• 前驱体系列

      前驱体是半导体集成电路制程薄膜沉积必不可少的关键材料， 常用于原子沉积( ALD ) 和化学气相沉积( MOCVD ) 工艺， 主要包含硅前驱体和金属前驱体，常用于High-K介电层、栅极侧壁等应用场景。具备优异电学性和工艺兼容性，保障器件的良率与高性能。

      特性

      • 高纯

      • 高沉积速率

      • 低沉积温度

      • 沉积均匀性优异

      • 台阶覆盖率优异

      用途

      • 芯片

      产品系列

      硅基前驱体
      高K前驱体
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